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Dataram DTM64397 Fiche technique Page 6

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DTM64397
8GB - 240-Pin 1Rx4 Registered ECC DDR3 DIMM
Document 06234, Revision A, 09-Apr-13, Dataram Corporation © 2013 Page 6
I
DD
Specifications and Conditions (T
A
= 0 to 70 C, Voltage referenced to V
ss
= 0 V)
PARAMETER Symbol Test Condition
Max
Value
Unit
Operating One
Bank Active-
Precharge Current
I
DD
0
Operating current : One bank ACTIVATE-to-PRECHARGE
1540 mA
Operating One
Bank Active-Read-
Precharge Current
I
DD
1
Operating current : One bank ACTIVATE-to-READ-to-
PRECHARGE
1720 mA
Precharge Powe
r
-
Down Current
I
DD
2P
Precharge power down current: (Slow exit)
500 mA
Precharge Powe
r
-
Down Current
I
DD
2P
Precharge power down current: (Fast exit)
500 mA
Precharge Quiet
Standby Current
I
DD
2Q
Precharge quiet standby current
1070 mA
Precharge Standby
Current
I
DD
2N
Precharge standby current
1070 mA
Active Powe
r
-Down
Current
I
DD
3P
Active power-down current
590 mA
Active Standby
Current
I
DD
3N
Active standby current
1280 mA
Operating Burst
Write Current
I
DD
4W
Burst write operating current
2440 mA
Operating Burst
Read Current
I
DD
4R
Burst read operating current
2310 mA
Burst Refresh
Current
I
DD
5
Refresh current
3320 mA
Self Refresh
Current
I
DD
6
Self-refresh temperature current: MAX TC = 85°C
280 mA
Operating Bank
Interleave Read
Current
I
DD
7
All bank interleaved read current
3720 mA
Note: Values are subject to change based on DRAM vendor.
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